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2DI50Z-120

更新时间: 2024-11-15 22:11:39
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 106K
描述
POWER TRANSISTOR MODULE

2DI50Z-120 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
针数:7Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83最大集电极电流 (IC):50 A
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:COMPLEX
最小直流电流增益 (hFE):100最大降落时间(tf):2000 ns
JESD-30 代码:R-XUFM-X5元件数量:1
端子数量:5最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:400 W最大功率耗散 (Abs):400 W
认证状态:Not Qualified最大上升时间(tr):3000 ns
子类别:BIP General Purpose Power表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):17000 ns最大开启时间(吨):3000 ns
VCEsat-Max:2.8 VBase Number Matches:1

2DI50Z-120 数据手册

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