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2DI50M-120

更新时间: 2024-11-09 20:27:11
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 148K
描述
Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 7 Pin, M204, 7 PIN

2DI50M-120 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
针数:7Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.82Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):50 A集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:2 BANKS, DARLINGTON, 4 TRANSISTORS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):500
JESD-30 代码:R-PUFM-X7元件数量:2
端子数量:7封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2DI50M-120 数据手册

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