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2SD2052

更新时间： 2024-01-19 21:40:36

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松下 - PANASONIC		/
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3页	54K
描述
Silicon NPN triple diffusion planar type(For high power amplification)

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2SD2052 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-3-3L	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.85	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	9 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	80	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

2SD2052 数据手册

Power Transistors

2SD2052

Silicon NPN triple diffusion planar type

For high power amplification

Complementary to 2SB1361

Unit: mm

15.0±0.3

11.0±0.2

5.0±0.2

Features

3.2

■

●

Satisfactory foward current transfer ratio h_FEvs. collector cur-

rent I_Ccharacteristics

Wide area of safe operation (ASO)

High transition frequency f_T

Optimum for the output stage of a HiFi audio amplifier

φ3.2±0.1

2.0±0.2

●

2.0±0.1

0.6±0.2

●

Full-pack package which can be installed to the heat sink with

one screw

1.1±0.1

5.45±0.3

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

10.9±0.5

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

150

1:Base

2:Collector

3:Emitter

150

TOP–3 Full Pack Package(a)

I_C

Collector power T_C=25°C

100

P_C

dissipation

Ta=25°C

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +155

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

I_EBO

h_FE1

Conditions

min

typ

max

Unit

µA

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

V_CB= 150V, I_E= 0

V_EB= 3V, I_C= 0

µA

V_CE= 5V, I_C= 20mA

V_CE= 5V, I_C= 1A

Forward current transfer ratio

Base to emitter voltage

h_FE2

h_FE3

V_BE

200

V_CE= 5V, I_C= 7A

1.8

2.0

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

I_C= 7A, I_B= 0.7A

Transition frequency

f_T

V_CE= 5V, I_C= 0.5A, f = 1MHz

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz

MHz

Collector output capacitance

C_ob

150

^*h_FE2Rank classification

Rank

h_FE2

60 to 120

80 to 160

100 to 200

12 3

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