2SC4215-R

更新时间： 2024-01-18 02:21:32

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美微科 - MCC		晶体晶体管
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3页	271K
描述
NPN Silicon Epitaxial Transistors

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2SC4215-R 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.63
最大集电极电流 (IC)：	0.02 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	550 MHz	Base Number Matches：	1

2SC4215-R 数据手册

M C C

2SC4215-R

2SC4215-O

2SC4215-Y

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

•

Small reverse transfer capacitance: Cre= 0.55pF(typ.)

Low Voise figure: NF=2dB (typ.) (f=100 MHz)

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

NPN Silicon

Epitaxial Transistors

Maximum Ratings

Symbol

V_CEO

V_CBO

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Rating

Unit

SOT-323

V_EBO

I_C

P_C

T_J,T_STG

Collector Current

Collector power dissipation

Junction and Storage Temperature

100

-55 to +150

Electrical Characteristics @ 25R Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Typ

Max

Units

Collector -base breakdown voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

(I_C=100µA, I_E= 0)

Collector-emitter breakdown voltage

(I_C=1mA, I_B= 0)

Emitter-base breakdown voltage

V_(BR)EBO

I_CBO

I_EBO

h_FE

(I_E=100µA, I_c= 0)

Collector cut-off current

(V_CB=40V,I_E=0)

0.1

0.5

200

DIMENSIONS

INCHES

µA

DIM

MIN

.071

.045

.079

MAX

.087

.053

.087

MIN

1.80

1.15

2.00

MAX

2.20

1.35

2.20

NOTE

Emitter cut-off current

(V_EB=4V, I_c= 0)

DC Current Gain

(V_CE=6V,I_C=1mA)

.026 Nominal

0.65Nominal

1.20

.047

.055

.016

.004

.039

.010

.016

1.40

.40

.100

1.00

.250

.40

.012

.000

.035

.004

.012

.30

.000

.90

.100

.30

Collector-base time constant

C_{C rbb}

(V_CE=6V, I =1mA,f=30MHz)

Reverse transfer capacitance

(V_CB=10V, f=1.0MHz)

C_re

0.55

550

Suggested Solder

Pad Layout

0.70

Transition frequency

(V_CE=6V, Ic=1mA,)

f_T

260

MHz

0.90

FE CLASSIFICATION

Rank

Ramge

Marking

40~80

1.90

70~140

100~200

0.65

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: A

2011/01/01

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4215R(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,20MA I(C),SC-70
2SC4215RTE85L	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
2SC4215-RTE85L	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
2SC4215RTE85R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
2SC4215-RTE85R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
2SC4215-R-TP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
2SC4215-R-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
2SC4215-TP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
2SC4215-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
2SC4215W	BL Galaxy Electrical	获取价格	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

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