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2SC3854

更新时间: 2024-02-16 01:31:16
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无锡固电 - ISC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 117K
描述
Silicon NPN Power Transistors

2SC3854 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.82
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):8 A
集电极-发射极最大电压:120 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):50JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):80 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):20 MHzBase Number Matches:1

2SC3854 数据手册

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Inchange Semiconductor  
Product Specification  
Silicon NPN Power Transistors  
2SC3854  
PACKAGE OUTLINE  
Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm)  
3

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