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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SC3857
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2SC3857

更新时间： 2024-09-13 22:52:43
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
1页 27K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio and General Purpose)

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2SC3857 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：MT-200, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：15 A
集电极-发射极最大电压：200 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：150 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz
Base Number Matches：1

2SC3857 数据手册

  
2 S C3 8 5 7  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SA1493)  
Application : Audio and General Purpose  
External Dimensions MT-200  
■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
2SC3857  
Symbol  
2SC3857  
Unit  
µA  
µA  
V
Unit  
V
±0.2  
6.0  
±0.3  
36.4  
VCB=200V  
100max  
100max  
200min  
50min  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
200  
±0.2  
24.4  
2.1  
±0.1  
2-ø3.2  
IEBO  
VEB=6V  
9
200  
V
V(BR)CEO  
hFE  
IC=50mA  
6
V
VCE=4V, IC=5A  
IC=10A, IB=1A  
VCE=12V, IE=–0.5A  
VCB=10V, f=1MHz  
15  
5
A
a
b
V
MHz  
pF  
VCE(sat)  
fT  
3.0max  
20typ  
IB  
A
PC  
150(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
2
3
COB  
250typ  
Tj  
+0.2  
-0.1  
0.65  
+0.2  
-0.1  
1.05  
Tstg  
–55 to +150  
hFE Rank O(50 to 100), P(70 to 140), Y(90 to 180)  
+0.3  
-0.1  
3.0  
±0.1  
±0.1  
5.45  
5.45  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
B
C
E
Weight : Approx 18.4g  
a. Type No.  
b. Lot No.  
VCC  
(V)  
RL  
IC  
VBB1  
VBB2  
(V)  
IB1  
IB2  
ton  
tstg  
tf  
(Ω)  
(A)  
(V)  
(A)  
(A)  
(µs)  
(µs)  
(µs)  
60  
12  
5
10  
–5  
0.5  
–0.5  
0.3typ  
2.4typ  
0.4typ  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
15  
15  
10  
5
3
10  
2
1
5
IC=15A  
10A  
5A  
0
0
0
0
1
2
3
4
0
1
2
3
4
0
1
2
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(A)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=4V)  
(VCE=4V)  
300  
2
1
300  
125˚C  
Typ  
0.5  
100  
50  
25˚C  
100  
50  
–30˚C  
20  
0.02  
20  
0.02  
0.1  
0.1  
0.5  
1
5
10 15  
1
10  
100  
Time t(ms)  
1000 2000  
0.1  
0.5  
1
5
10 15  
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=12V)  
50  
160  
40  
30  
20  
10ms  
120  
80  
10  
5
Typ  
1
0.5  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
10  
0
40  
Without Heatsink  
5
0
0.1  
2
10  
100  
300  
–0.02  
–0.1  
–1  
Emitter Current IE(A)  
–10  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
79  
1

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2SC3857 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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