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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SB1649
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2SB1649

更新时间： 2024-01-23 20:30:51
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三垦 - SANKEN 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
1页 31K
描述
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor

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2SB1649 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3PF
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.41外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：15 A集电极-发射极最大电压：150 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：15000
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：45 MHz
Base Number Matches：1

2SB1649 数据手册

  
E
C
(70Ω)  
B
Darlington 2 S B1 6 4 9  
Equivalent circuit  
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SD2561)  
Application : Audio, Series Regulator and General Purpose  
External Dimensions FM100(TO3PF)  
■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
Symbol  
Ratings  
Ratings  
Conditions  
Unit  
µA  
µA  
V
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Unit  
±0.2  
5.5  
±0.2  
15.6  
ICBO  
–100max  
–100max  
–150min  
5000min  
–2.5max  
–3.0max  
45typ  
VCB=–150V  
±0.2  
–150  
V
3.45  
IEBO  
VEB=–5V  
–150  
V
V(BR)CEO  
hFE  
IC=–30mA  
–5  
V
±0.2  
ø3.3  
VCE=–4V, IC=–10A  
IC=–10A, IB=–10mA  
IC=–10A, IB=–10mA  
VCE=–12V, IE=2A  
VCB=–10V, f=1MHz  
–15  
A
a
b
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
V
V
IB  
–1  
A
PC  
85(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
MHz  
pF  
Tj  
1.75  
2.15  
0.8  
COB  
320typ  
Tstg  
–55 to +150  
+0.2  
-0.1  
1.05  
to  
to  
to  
hFE Rank O(5000 12000), P(6500 20000), Y(15000 30000)  
+0.2  
±0.1  
±0.1  
0.65  
-0.1  
5.45  
5.45  
1.5  
3.35  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
1.5  
4.4  
Weight : Approx 6.5g  
a. Part No.  
b. Lot No.  
VCC  
(V)  
RL  
IC  
VBB1  
VBB2  
(V)  
IB1  
IB2  
ton  
tstg  
tf  
(Ω)  
(A)  
(V)  
(mA)  
(µs)  
(µs)  
(µs)  
(mA)  
B
C
E
–40  
4
–10  
–10  
5
–10  
10  
0.7typ  
1.6typ  
1.1typ  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
–50mA  
–10mA  
–3mA  
(VCE=–4V)  
–1.5mA  
–15  
–15  
–10  
–5  
–3  
–10  
–5  
0
–2  
IC=–5A  
–1  
0
0
0
–2  
–4  
–6  
–0.2 –0.5 –1  
–5 –10  
–50 –100 –200  
0
–1  
–2  
–3  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(mA)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=–4V)  
(VCE=–4V)  
50,000  
50000  
3
125˚C  
Typ  
25˚C  
1
–30˚C  
10000  
10,000  
5,000  
0.5  
5000  
1000  
–0.2  
1,000  
–0.2  
0.1  
1
10  
100  
Time t(ms)  
1000 2000  
–0.5  
–1  
–5  
–10 –15  
–0.5  
–1  
Collector Current IC(A)  
–5  
–10 –15  
Collector Current IC(A)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=–12V)  
60  
40  
100  
80  
–50  
–10  
–5  
60  
–1  
40  
–0.5  
20  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
20  
–0.1  
Without Heatsink  
3.5  
0
0
0.02 0.05 0.1  
–0.05  
0.5  
1
5
10  
–3  
–5  
–10  
–50  
–100 –200  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
Emitter Current IE(A)  
54  
1

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