2SB0710

更新时间： 2024-02-02 19:06:54

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松下 - PANASONIC		/
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3页	85K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type

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2SB0710 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	170
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

2SB0710 数据手册

Transistors

2SB0710 (2SB710), 2SB0710A (2SB710A)

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

For general amplification

+0.10

–0.05

Complementary to 2SD0602 (2SD602), 2SD0602A (2SD602A)

0.40

+0.10

–0.06

0.16

■ Features

• Large collector current I_C

• Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic

insertion through the tape packing and the magazine packing

(0.95) (0.95)

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

1.9 ^0.1

+0.20

Parameter

Symbol

Rating

−30

Unit

2.90

–0.05

2SB0710

2SB0710A

2SB0710

2SB0710A

V_CBO

Collector-base voltage

(Emitter open)

10˚

−60

V_CEO

−25

Collector-emitter voltage

(Base open)

1: Base

2: Emitter

−50

3: Collector

EIAJ: SC-59

Mini3-G1 Package

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

−5

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

− 0.5

−1

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Marking Symbol:

• 2SB0710: C

• 2SB0710A: D

200

°C

150

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

−30

−60

−25

−50

−5

Typ

Max

Unit

2SB0710

2SB0710A

2SB0710

2SB0710A

V_CBO

I_C= −10 µA, I_E= 0

Collector-base voltage

(Emitter open)

V_CEO

I_C= −10 mA, I_B= 0

Collector-emitter voltage

(Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

V_EBO

I_CBO

I_E= −10 µA, I_C= 0

µA



Collector-base cutoff current (Emitter open)

V_CB= −20 V, I_E= 0

− 0.1

Forward current transfer ratio ^*

h_FE1

h_FE2

V_CE= −10 V, I_C= −150 mA

V_CE= −10 V, I_C= −500 mA

340



Collector-emitter saturation voltage ^*

V_CE(sat)I_C= −300 mA, I_B= −30 mA

V_BE(sat)I_C= −300 mA, I_B= −30 mA

− 0.35 − 0.60

Base-emitter saturation voltage ^*

−1.1

200

−1.5

Transition frequency

f_T

V_CB= −10 V, I_E= 50 mA, f = 200 MHz

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

MHz

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. 1: Pulse measurement

2: Rank classification

Product of no-rank is not

classified and have no

marking symbol for rank.

Rank

85 to 170

120 to 240

170 to 340

No-rank

h_FE1

85 to 340

2SB0710

Marking

symbol

2SB0710A

Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.

Publication date: May 2003

SJC00048CED

12 3

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