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2SA1235A

更新时间: 2024-02-19 18:27:43
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谏早电子 - ISAHAYA 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 131K
描述
FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE(Super mini type)

2SA1235A 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.61
Base Number Matches:1

2SA1235A 数据手册

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< SMALL-SIGNAL TRANSISTOR >  
2SA1235A 2SA1602A  
2SA1993  
FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION  
SILICON PNP EPITAXIAL TYPE(Super mini type)  
COMMON EMITTER OUTPUT  
COMMON EMITTER TRANSFER  
-50  
-40  
-30  
-20  
-10  
-0  
-50  
-40  
-30  
-20  
-10  
-0  
0.18mA  
0.16mA  
Ta=25℃  
0.14mA  
Ta=25℃  
VCE=-6V  
0.12mA  
0.10mA  
0.08mA  
0.06mA  
0.04mA  
0.02mA  
IB=0  
-0  
-1  
-2  
-3  
-4  
-5  
-0.0  
-0.2  
-0.4  
-0.6  
-0.8  
-1.0  
BASE TO EMITTER VOLTAGE VBE(V)  
COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VCE(V)  
GAIN BAND WIDTH PRODUCT  
VS. EMITTER CURRENT  
DC FORWARD CURRENT GAIN  
VS. COLLECTOR CURRENT  
10000  
1000  
100  
10  
250  
Ta=25℃  
Ta=25℃  
VCE=-6V  
VCE=-6V  
100(@IC=-1mA)  
200  
150  
100  
50  
0
1
0.1  
1
10  
100  
-0.1  
-1  
-10  
-100  
-1000  
EMITTER CURRENT IE(mA)  
COLLECTOR CURRENT IC(mA)  
COLLECTOR OUTPUT CAPACITANCE  
VS. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE  
100  
Ta=25℃  
IE=0  
f=1MHz  
10  
1
0.1  
-0.1  
-1  
-10  
-100  
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE VCB(V)  
ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION  

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