2SA1235A

更新时间： 2024-01-27 14:17:48

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描述
FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE(Super mini type)

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2SA1235A 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SA1235A 数据手册

< SMALL-SIGNAL TRANSISTOR >

2SA1235A 2SA1602A

2SA1993

FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION

SILICON PNP EPITAXIAL TYPE(Super mini type)

MAXIMUM RATINGS（Ｔａ＝２５℃）

Ratings

Symbol

Parameter

Unit

2SA1235A

-60

2SA1602A

-60

2SA1993

-50

Ｖ_ＣＢＯ

Ｖ_ＥＢＯ

Collector to Base voltage

Emitter to Base voltage

Collector to Emitter

voltage

-6

-50

Ｖ_ＣＥＯ

200

℃

Ｉ

Collector current

Ｃ

200

450

Ｐ_Ｃ

Ｔｊ

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

+150

-55～+150

℃

Ｔｓｔｇ

ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃）

Parame

Symbol

ter

Limits

Typ

Test conditions

Unit

Min

-50

Max

C to E break down voltage

Ｖ_{（ＢＲ）ＣＥＯ}

I =-100μA，R_BE=∞

2SA1993

Ｉ

V_CB=-50V，I _E=0

V_CB=-60V，I _E=0

-0.1

500

μA

Collector cut off current

Emitter cut off current

ＣＢＯ

2SA1235A,2SA1602A

V_EB=-6V，I _C=0

DC forward current gain

Ｉ

μA

－

EＢＯ

V_CE=-6V，I _C=-1mA

150

ｈ_ＦＥ*

ｈ_ＦＥ

2SA1993

－

C to E Saturation Vlotage

V_CE=-6V，I _C=-0.1mA

2SA1235A,2SA1602A

Gain bandwidth product

Collector output capacitance

C to E break down voltage

Noise figure

Ｖ_{ＣＥ（ｓａｔ）}

ｆ_Ｔ

_C=-100mA，I _B=-10mA

-0.3

V_CE=-6V，I _E=10mA

200

4.0

MHz

Cob

V_CB=-6V，I _E=0,f=1MHz

V_CE=-6V，I _E=0.3mA,f=100Hz,RG=10ｋΩ

*： It shows hFE classification in below table.

ｈFE

2SA1235A

2SA1602A

2SA1993

150～300

250～500

ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION

123 4 5

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