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2N3791

更新时间： 2024-01-19 16:01:31

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3页	112K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2N3791 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-276AB
包装说明：	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.42	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JEDEC-95代码：	TO-276AB	JESD-30 代码：	R-CBCC-N3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz

2N3791 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2N3791 2N3792

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Complement to type 2N3715 ,2N3716

·Excellent safe operating area

APPLICATIONS

Designed for medium-speed switching

and amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-60

UNIT

2N3791

2N3792

2N3791

2N3792

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

-80

-60

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

-80

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

-7

ꢀ

-10

I_B

Base current

-4

P_D

T_j

Total Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

150

200

-65~200

ꢀ

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

Thermal resistance junction to case

1.17

ꢀ/W

R_{(th) jc}

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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