2N3055

更新时间： 2024-02-11 08:09:48

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描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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2N3055 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.59	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	15 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	2.5 MHz	Base Number Matches：	1

2N3055 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistors

2N3055

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

T_C=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_CEO(SUS)

V_CER(SUS)

V_CE

PARAMETER

Collector-Emitter Sustaining Voltage

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter On Voltage

Collector Cutoff Current

CONDITIONS

MIN

MAX

UNIT

I_C=200mA ; I_B=0

I_C=200mA ; R_BE=100Ω

I_C= 4A; I_B= 0.4A

I_C= 10A; I_B= 3.3A

I_C= 4A ; V_CE= 4V

V_CE= 30V; I_B=0

1.1

3.0

1.5

0.7

-1

(sat)

V_CE

-2

(sat)

V_BE(

)

I_CEO

_CE= 100V; V_BE(off)= 1.5V

V_CE= 100V; V_BE(off)= 1.5V,T_C=150℃

1.0

5.0

I_CEX

I_EBO

h_FE-1

h_FE-2

I_s/b

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

V_EB= 7.0V; I_C=0

5.0

DC Current Gain

I_C= 4A ; V_CE= 4V

5.0

DC Current Gain

I_C= 10A ; V_CE= 4V

Second Breakdown Collector

Current with Base Forward Biased

V_CE= 40V,t= 1.0s,Nonrepetitive

I_C= 0.5A ; V_CE= 10V;f=1.0MHz

2.87

2.5

f_T

Current Gain-Bandwidth Product

MHz

isc Website：www.iscsemi.cn

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