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29109BRA

更新时间： 2024-02-07 19:11:24
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英特矽尔 - INTERSIL 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
7页 45K
描述
16K x 1 Asynchronous CMOS Static RAM

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29109BRA 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：DIP
包装说明：,针数：20
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.72
最长访问时间：70 nsJESD-30 代码：R-GDIP-T20
内存密度：16384 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：1功能数量：1
端子数量：20字数：16384 words
字数代码：16000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：16KX1封装主体材料：CERAMIC, GLASS-SEALED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：SERIAL认证状态：Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：DUAL

29109BRA 数据手册

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HM-65262  
Absolute Maximum Ratings  
Thermal Information  
Supply Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +7.0V  
Input or Output Voltage Applied for all grades . . . . . -0.3V to V +0.3V  
Typical Derating Factor . . . . . . . . . . . . . . . .5mA/MHz Increase in ICCOP  
Thermal Resistance (Typical)  
CERDIP Package. . . . . . . . . . . . . . . . . .  
CLCC Package. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
Maximum Storage Temperature Range. . . . . . . . . . . . . -65 C to +150 C  
Maximum Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175 C  
θ
θ
JC  
JA  
o
o
66 C/W  
13 C/W  
CC  
o
o
75 C/W  
18 C/W  
o
o
ESD Classification . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Class 1  
o
o
Maximum Lead Temperature (Soldering 10s) . . . . . . . . . . . . . . . +300 C  
Die Characteristics  
Gate Count . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26256 Gates  
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation  
of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
Operating Conditions  
Operating Voltage Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +4.5V to +5.5V  
Operating Temperature Range  
HM-65262B-9, HM-65262-9, HM-65262C-9 . . . . .-40 C to +85 C  
o
o
o
o
DC Electrical Specifications V = 5V ±10%; T = -40 C to +85 C (HM-65262B-9, HM-65262-9, HM-65262C-9)  
CC  
A
LIMITS  
SYMBOL  
PARAMETER  
MIN  
MAX  
UNITS  
TEST CONDITIONS  
ICCSB1  
Standby Supply Current  
-od  
50  
µA  
HM-65262B-9, HM-65262-9, IO = 0mA,  
E = V -0.3V, V = 5.5V  
CC  
CC  
-
900  
µA  
HM-65262C-9, IO = 0mA,  
E = V -0.3V, V = 5.5V  
CC  
CC  
ICCSB  
ICCEN  
ICCOP  
Standby Supply Current  
-
-
-
5
mA  
mA  
mA  
E = 2.2V, IO = 0mA, V = 5.5V  
CC  
Enabled Supply Current  
50  
50  
E = 0.8V, IO = 0mA, V = 5.5V  
CC  
Operating Supply Current (Note 1)  
E = 0.8V, IO = 0mA, f = 1MHz,  
V
= 5.5V  
CC  
ICCDR  
Data Retention Supply Current  
Data Retention Supply Current  
-
20  
µA  
HM-65262B-9, HM-65262-9,  
= 2.0V, E = V  
V
CC  
CC  
-
-
400  
30  
µA  
µA  
HM-65262C-9, V = 2.0V, E = V  
CC  
CC  
CC  
ICCDR1  
HM-65262B-9, HM-65262-9,  
V
= 3.0V, E = V  
CC  
CC  
-
550  
-
µA  
V
HM-65262C-9, V = 3.0V, E = V  
CC  
VCCDR  
II  
Data Retention Supply Voltage  
Input Leakage Current  
Output Leakage Current  
Input Low Voltage  
2.0  
-1.0  
-1.0  
-0.3  
2.2  
-
+1.0  
+1.0  
0.8  
µA  
µA  
V
VI = V or GND, V = 5.5V  
CC CC  
IOZ  
VIO = V or GND, V = 5.5V  
CC CC  
VIL  
V
V
= 4.5V  
CC  
CC  
VIH  
Input High Voltage  
V
+0.3  
V
= 5.5V  
CC  
VOL  
VOH1  
VOH2  
Output Low Voltage  
0.4  
V
IO = 8.0mA, V = 4.5V  
CC  
Output High Voltage  
2.4  
-
-
V
IO = -4.0mA, V = 4.5V  
CC  
Output High Voltage (Note 2)  
V
-0.4  
V
IO = -100µA, V = 4.5V  
CC  
CC  
o
Capacitance T = +25 C  
A
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX  
UNITS  
pF  
TEST CONDITIONS  
CI  
Input Capacitance (Note 2)  
10  
12  
f = 1MHz, All measurements are  
referenced to device GND  
CIO  
Input/Output Capacitance (Note 2)  
pF  
NOTES:  
1. Typical derating 5mA/MHz increase in ICCOP.  
2. Tested at initial design and after major design changes.  
6-3  
1234567

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