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| 生命周期： | Active | 包装说明： | DIP, |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.23 |
| 最长访问时间： | 200 ns | JESD-30 代码： | R-XDIP-T32 |
| 长度： | 40.64 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 128KX8 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 编程电压： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.715 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 总剂量： | 100k Rad(Si) V |
| 宽度： | 15.24 mm | 最长写入周期时间 (tWC)： | 15 ms |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 28LV010RPDE25 | MAXWELL | 3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM |
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| 28LV010RPDE-25 | MAXWELL | 3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM |
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| 28LV010RPDI20 | MAXWELL | 3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM |
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| 28LV010RPDI-20 | MAXWELL | 3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM |
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| 28LV010RPDI25 | MAXWELL | 3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM |
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| 28LV010RPDI-25 | MAXWELL | 3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM |
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