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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | 8 X 13.40 MM, PLASTIC, VSOP-28 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.91 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 250 ns |
| 其他特性： | DATA RETENTION >200 YEARS | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 11.8 mm | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | OTP ROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 32KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1 | 封装等效代码： | TSSOP28,.53,22 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3.3/5 V | 编程电压： | 13 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大待机电流： | 0.0001 A | 子类别： | OTP ROMs |
| 最大压摆率： | 0.025 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.55 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 8 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 27LV25625ISO | ETC | x8 EPROM |
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| 27LV256-25ISO | MICROCHIP | 256K (32K x 8) Low-Voltage CMOS EPROM |
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| 27LV256-25IVS | MICROCHIP | 256K (32K x 8) Low-Voltage CMOS EPROM |
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| 27LV25625L | ETC | x8 EPROM |
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| 27LV256-25L | MICROCHIP | 256K (32K x 8) Low-Voltage CMOS EPROM |
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| 27LV25625P | ETC | x8 EPROM |
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