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27LV256-25IP

更新时间: 2024-01-17 18:23:34
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美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
12页 68K
描述
256K (32K x 8) Low-Voltage CMOS EPROM

27LV256-25IP 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:8 X 13.40 MM, PLASTIC, VSOP-28针数:28
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.91
Is Samacsys:N最长访问时间:250 ns
其他特性:DATA RETENTION >200 YEARSI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e0
长度:11.8 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:OTP ROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1封装等效代码:TSSOP28,.53,22
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3/5 V编程电压:13 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.0001 A子类别:OTP ROMs
最大压摆率:0.025 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.55 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:8 mmBase Number Matches:1

27LV256-25IP 数据手册

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27LV256  
FIGURE 1-3: PROGRAMMING EXPRESS ALGORITHM  
Conditions:  
Tamb = 25+/-5C  
VCC = 6.5+/-0.25V  
VPP = 13.0+/-0.25V  
Start  
ADDR = First Location  
VCC = 6.5V  
VPP = 13.0V  
X = 0  
Program one 100 µs pulse  
Increment X  
Verify  
Byte  
Pass  
Fail  
No  
Yes  
Device  
Failed  
X = 10?  
Last  
Address?  
Yes  
No  
Increment Address  
VCC = VPP = 4.5V, 5.5V  
All  
Yes  
bytes  
= original  
data?  
No  
Device  
Passed  
Device  
Failed  
1996 Microchip Technology Inc.  
DS11020F-page 7  

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