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27LV256-20L

更新时间： 2024-02-01 11:06:38

品牌	Logo	应用领域
美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数	文件大小	规格书
12页	68K
描述
256K (32K x 8) Low-Voltage CMOS EPROM

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27LV256-20L 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	8 X 13.40 MM, PLASTIC, VSOP-28	针数：	28
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.91
最长访问时间：	200 ns	其他特性：	DATA RETENTION >200 YEARS
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
JESD-609代码：	e0	长度：	11.8 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	OTP ROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP28,.53,22	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3/5 V
编程电压：	13 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	OTP ROMs	最大压摆率：	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.55 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

27LV256-20L 数据手册

27LV256

FIGURE 1-3: PROGRAMMING EXPRESS ALGORITHM

Conditions:

Tamb = 25+/-5C

VCC = 6.5+/-0.25V

VPP = 13.0+/-0.25V

Start

ADDR = First Location

VCC = 6.5V

VPP = 13.0V

X = 0

Program one 100 µs pulse

Increment X

Verify

Byte

Pass

Fail

Yes

Device

Failed

X = 10?

Last

Address?

Yes

Increment Address

VCC = VPP = 4.5V, 5.5V

All

Yes

bytes

= original

data?

Device

Passed

Device

Failed

1996 Microchip Technology Inc.

DS11020F-page 7

1...4 5 678 9 10...12

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