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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | 0.600 INCH, CERDIP-28 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.61 | 风险等级： | 5.91 |
| 最长访问时间： | 250 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | UVPROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 3.3/5 V |
| 编程电压： | 13 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.0001 A | 子类别： | EPROMs |
| 最大压摆率： | 0.02 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 27LV256-25/K | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
|
| 27LV256-25/TS | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
|
| 27LV256-25/VS | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
|
| 27LV256-25I/J | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
|
| 27LV256-25I/K | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
|
| 27LV256-25I/L | MICROCHIP |
获取价格 |
32K X 8 OTPROM, 250 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
|
| 27LV256-25I/SO | MICROCHIP |
获取价格 |
32K X 8 OTPROM, 250 ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 |
|
| 27LV256-25I/TS | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
|
| 27LV256-25I/VS | MICROCHIP |
获取价格 |
32K X 8 OTPROM, 250 ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, VSOP-28 |
|
| 27LV25625IL | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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