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27C512A15ESO

更新时间： 2024-01-06 00:56:04

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x8 EPROM

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27C512A15ESO 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DIP, DIP28,.6	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.89	最长访问时间：	150 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDIP-T28
JESD-609代码：	e0	内存密度：	524288 bit
内存宽度：	8	端子数量：	28
字数：	65536 words	字数代码：	64000
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	EPROMs	最大压摆率：	0.03 mA
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

27C512A15ESO 数据手册

27C512A

TABLE 1-1:

Name

PIN FUNCTION TABLE

Function

1.0

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

1.1

Maximum Ratings*

VCC and input voltages w.r.t. VSS ........-0.6V to +7.25V

A0-A15

Address Inputs

VPP voltage w.r.t. VSS during

programming .........................................-0.6V to +14V

Chip Enable

OE/VPP

O0 - O7

VCC

Output Enable/Programming Voltage

Data Output

Voltage on A9 w.r.t. VSS.......................-0.6V to +13.5V

Output voltage w.r.t. VSS.................-0.6V to VCC +1.0V

Storage temperature .......................... -65˚C to +150˚C

Ambient temp. with power applied...... -65˚C to +125˚C

+5V Power Supply

Ground

VSS

*Notice: Stresses above those listed under “Maximum Ratings”

may cause permanent damage to the device. This is a stress rat-

ing only and functional operation of the device at those or any

other conditions above those indicated in the operation listings of

this speciﬁcation is not implied. Exposure to maximum rating con-

ditions for extended periods may affect device reliability.

No Connection; No Internal Connec-

tion

Not Used; No External Connection is

Allowed

TABLE 1-2:

READ OPERATION DC CHARACTERISTICS

VCC = +5V ±10%

Commercial:

Industrial:

Tamb = 0˚C to +70˚C

Tamb = -40˚C to +85˚C

Extended (Automotive):

Tamb = -40˚C to +125˚C

Parameter

Part*

Status

Symbol

Min

Max

Units Conditions

Input Voltages

all

Logic "1"

Logic "0"

VIH

VIL

2.0

-0.5

VCC+1

0.8

Input Leakage

all

ILI

-10

2.4

µA VIN = 0 to VCC

Output Voltages

Logic "1"

Logic "0"

VOH

VOL

IOH = - 400 µA

IOL = 2.1 mA

0.45

Output Leakage

all

—

ILO

-10

—

µA VOUT = 0V to VCC

Input Capacitance

CIN

pF VIN = 0V; Tamb = 25°C;

f = 1 MHz

Output Capacitance

all

—

COUT

—

pF VOUT = 0V; Tamb = 25°C;

f = 1 MHz

Power Supply Current,

Active

I, E

TTL input

ICC

—

mA VCC = 5.5V

mA f = 1 MHz;

OE/VPP = CE = VIL;

IOUT = 0 mA;

VIL = -0.1 to 0.8V;

VIH = 2.0 to VCC;

Note 1

Power Supply Current,

Standby

I, E

all

TTL input

CMOS input ICC(S)CMOS

ICC(S)TLL

—

µA CE = Vcc±0.2V

* Parts: C=Commercial Temperature Range; I, E=Industrial and Extended Temperature Ranges

Note 1: Typical active current increases .75 mA per MHz up to operating frequency for all temperature ranges.

DS11173F-page 2

1998 Microchip Technology Inc.

This Material Copyrighted by Its Respective Manufacturer

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