5秒后页面跳转
27C256-15I/P PDF预览

27C256-15I/P

更新时间: 2024-02-12 23:49:06
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器OTP只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
10页 92K
描述
256K (32K x 8) CMOS EPROM

27C256-15I/P 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:DIP, DIP28,.6Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83Is Samacsys:N
最长访问时间:150 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDIP-T28JESD-609代码:e0
内存密度:262144 bit内存宽度:8
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP28,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
电源:5 V编程电压:12.5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.0001 A
子类别:OTP ROMs最大压摆率:0.03 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

27C256-15I/P 数据手册

 浏览型号27C256-15I/P的Datasheet PDF文件第4页浏览型号27C256-15I/P的Datasheet PDF文件第5页浏览型号27C256-15I/P的Datasheet PDF文件第6页浏览型号27C256-15I/P的Datasheet PDF文件第8页浏览型号27C256-15I/P的Datasheet PDF文件第9页浏览型号27C256-15I/P的Datasheet PDF文件第10页 
27C256  
FIGURE 1-3: PROGRAMMING EXPRESS ALGORITHM  
Conditions:  
Start  
Tamb = 25•C ±5•C  
V
V
CC = 6.5 ±0.25V  
PP = 13.0 ±0.25V  
ADDR = First Location  
V
CC = 6.5V  
V
PP = 13.0V  
X = 0  
Program one 100  
µ
s pulse  
Pass  
Increment X  
Verify  
Byte  
Fail  
No  
Yes  
Device  
Failed  
X = 10 ?  
Last  
Address?  
Yes  
No  
Increment Address  
CC = VPP = 4.5V, 5.5V  
All  
V
Yes  
No  
bytes  
= original  
data?  
Device  
Passed  
Device  
Failed  
2004 Microchip Technology Inc.  
DS11001N-page 7  

与27C256-15I/P相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
27C256-15I/SO MICROCHIP 256K (32K x 8) CMOS EPROM

获取价格

27C256-15I/TS ETC x8 EPROM

获取价格

27C256-15I/VS ETC x8 EPROM

获取价格

27C256-15IL MICROCHIP 256K (32K x 8) CMOS EPROM

获取价格

27C256-15IP MICROCHIP 256K (32K x 8) CMOS EPROM

获取价格

27C256-15ISO MICROCHIP 256K (32K x 8) CMOS EPROM

获取价格