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27C256-15I/P

更新时间： 2024-01-26 15:57:01

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美国微芯 - MICROCHIP		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器 OTP只读存储器电动程控只读存储器
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10页	92K
描述
256K (32K x 8) CMOS EPROM

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27C256-15I/P 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	DIP, DIP28,.6	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	150 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDIP-T28	JESD-609代码：	e0
内存密度：	262144 bit	内存宽度：	8
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
电源：	5 V	编程电压：	12.5 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	OTP ROMs	最大压摆率：	0.03 mA
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

27C256-15I/P 数据手册

27C256

FIGURE 1-2: PROGRAMMING WAVEFORMS

Program

Verify

Address

Data

Address Stable

High Z

Data Stable

Data Out Valid

tDH

(1)

13.0V(2)

5.0V

VPS

VCS

6.5V(2)

5.0V

OES

(1)

Notes:

(1)

(2)

tDF and tOE are characteristics of the device but must be accommodated by the programmer

CC = 6.5 V ±0.25V, V PP = V

= 13.0V ±0.25V for express algorithm

TABLE 1-6:

MODES

Operation Mode

Read

VPP

O0 - O7

VIL

VIH

VIL

VIH

VIL

VIH

VCC

DOUT

DIN

Program

Program Verify

Program Inhibit

Standby

DOUT

High Z

VCC

High Z

Output Disable

Identity

VIH

VIL

High Z

Identity Code

X = Don’t Care

1.2

Read Mode

For Read operations, if the addresses are stable, the

address access time (tACC) is equal to the delay from

CE to output (tCE). Data is transferred to the output

after a delay from the falling edge of OE (tOE).

(See Timing Diagrams and AC Characteristics)

Read Mode is accessed when:

a) the CE pin is low to power up (enable) the chip

b) the OE pin is low to gate the data to the output

pins

2004 Microchip Technology Inc.

DS11001N-page 5

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