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27C256-10

更新时间： 2024-02-19 01:02:24

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数	文件大小	规格书
12页	70K
描述
256K (32K x 8) CMOS EPROM

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27C256-10 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	8 X 13.40 MM, VSOP-28	针数：	28
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.62
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	100 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
JESD-609代码：	e0	长度：	11.8 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	OTP ROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP28,.53,22	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	13 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	OTP ROMs	最大压摆率：	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.55 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

27C256-10 数据手册

27C256

FIGURE 1-2: PROGRAMMING WAVEFORMS

Program

Verify

VIH

Address

Data

Address Stable

VIL

VIH

VIL

tAS

t DS

tAH

High Z

Data Stable

tDH

Data Out Valid

tDF

(1)

13.0V(2)

5.0V

6.5V(2)

5.0V

VIH

VPP

VCC

tVPS

tVCS

VIL

tOES

tPW

tOE

(1)

VIH

VIL

Notes:

(1) tDF and tOE are characteristics of the device but must be accommodated by the programmer

(2) VCC = 6.5 V ±0.25V, VPP = VH = 13.0V ±0.25V for express algorithm

TABLE 1-6:

MODES

Operation Mode

VPP

O0 - O7

Read

VIL

VIH

VIL

VIH

VIL

VIH

VCC

DOUT

DIN

Program

Program Verify

Program Inhibit

Standby

DOUT

High Z

VCC

High Z

Output Disable

Identity

VIH

VIL

High Z

Identity Code

X = Don’t Care

1.2

Read Mode

For Read operations, if the addresses are stable, the

address access time (tACC) is equal to the delay from

CE to output (tCE). Data is transferred to the output

after a delay from the falling edge of OE (tOE).

(See Timing Diagrams and AC Characteristics)

Read Mode is accessed when:

a) the CE pin is low to power up (enable) the chip

b) the OE pin is low to gate the data to the output

pins

1996 Microchip Technology Inc.

DS11001L-page 5

1 2 3 456 7 8...12

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