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27C256-10

更新时间: 2024-02-12 00:41:38
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美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
12页 70K
描述
256K (32K x 8) CMOS EPROM

27C256-10 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:8 X 13.40 MM, VSOP-28针数:28
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.62
Is Samacsys:N最长访问时间:100 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G28
JESD-609代码:e0长度:11.8 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:OTP ROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:32KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP28,.53,22封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
编程电压:13 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大待机电流:0.0001 A
子类别:OTP ROMs最大压摆率:0.025 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.55 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:8 mm
Base Number Matches:1

27C256-10 数据手册

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27C256  
TABLE 1-3:  
READ OPERATION AC CHARACTERISTICS  
AC Testing Waveform:  
Output Load:  
VIH = 2.4V and VIL = 0.45V; VOH = 2.0V VOL = 0.8V  
1 TTL Load + 100 pF  
Input Rise and Fall Times: 10 ns  
Ambient Temperature: Commercial:  
Tamb = 0˚C to +70˚C  
Industrial:  
Tamb = -40˚C to +85˚C  
Automotive:  
Tamb = -40°C to +125°C  
27C256-90* 27C256-10* 27C256-12 27C256-15 27C256-20  
Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max  
Parameter  
Sym  
Units Conditions  
Address to Output  
Delay  
tACC  
90  
100  
120  
150  
200  
ns CE=OE =VIL  
CE to Output Delay  
OE to Output Delay  
tCE  
0
90  
40  
30  
0
100  
45  
0
120  
55  
0
150  
65  
0
200  
75  
ns  
ns  
ns  
OE = VIL  
CE = VIL  
tOE  
tOFF  
CE or OE to O/P  
High Impedance  
30  
35  
50  
55  
Output Hold from  
tOH  
0
0
0
0
0
ns  
Address CE or OE,  
whichever goes first  
* -10, -90 AC Testing Waveform: VIH = 2.4V and VIL = .45V; VOH = 1.5V and VOL = 1.5V  
Output Load: 1 TTL Load + 30pF  
FIGURE 1-1: READ WAVEFORMS  
VIH  
Address Valid  
Address  
CE  
VIL  
VIH  
VIL  
tCE(2)  
VIH  
VIL  
OE  
tOFF(1,3)  
tOH  
tOE(2)  
VOH  
VOL  
Outputs  
O0 - O7  
High Z  
High Z  
Valid Output  
tACC  
Notes: (1) tOFF is specified for OE or CE, whichever occurs first  
(2) OE may be delayed up to tCE - tOE after the falling edge of CE without impact on tCE  
(3) This parameter is sampled and is not 100% tested.  
1996 Microchip Technology Inc.  
DS11001L-page 3  

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