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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-252 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.64 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 23 A | 最大漏源导通电阻： | 0.08 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 25N10L-TF1-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| 25N10L-TF2-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| 25N10L-TF3-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| 25N10L-TM3-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| 25N10L-TN3-R | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| 25N15BH | EDAL |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE MULTIPLE SILICON PACKAGES |
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| 25N15BI | EDAL |
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HIGH VOLTAGE MULTIPLE SILICON PACKAGES |
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| 25N15BS | EDAL |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE MULTIPLE SILICON PACKAGES |
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| 25N15CH | EDAL |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE MULTIPLE SILICON PACKAGES |
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| 25N15CI | EDAL |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE MULTIPLE SILICON PACKAGES |
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