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25AA128-I/SN

更新时间： 2024-02-09 19:18:58
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 存储内存集成电路光电二极管PC可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
页数 文件大小 规格书
26页 536K
描述
128K SPI Bus Serial EEPROM

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25AA128-I/SN 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：4.40 MM, PLASTIC, TSSOP-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51Factory Lead Time：6 weeks
风险等级：5.57Is Samacsys：N
最大时钟频率 (fCLK)：10 MHz数据保留时间-最小值：200
耐久性：1000000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：4.4 mm
内存密度：131072 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：8
字数：16384 words字数代码：16000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：16KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：2/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
串行总线类型：SPI最大待机电流：0.000001 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.005 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：3 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 ms写保护：HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：1

25AA128-I/SN 数据手册

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25AA128/25LC128  
TABLE 1-2:  
AC CHARACTERISTICS  
Industrial (I):  
Automotive (E): TA = -40°C to +125°C  
TA = -40°C to +85°C  
VCC = 1.8V to 5.5V  
VCC = 2.5V to 5.5V  
AC CHARACTERISTICS  
Param.  
Sym.  
Characteristic  
Min.  
Max.  
Units  
Test Conditions  
No.  
1
2
3
FCLK Clock Frequency  
—
—
—
10  
5
3
MHz 4.5V ≤ Vcc ≤ 5.5V  
MHz 2.5V ≤ Vcc < 4.5V  
MHz 1.8V ≤ Vcc < 2.5V  
TCSS CS Setup Time  
TCSH CS Hold Time  
TCSD CS Disable Time  
50  
100  
150  
—
—
—
ns  
ns  
ns  
4.5V ≤ Vcc ≤ 5.5V  
2.5V ≤ Vcc < 4.5V  
1.8V ≤ Vcc < 2.5V  
100  
200  
250  
—
—
—
ns  
ns  
ns  
4.5V ≤ Vcc ≤ 5.5V  
2.5V ≤ Vcc < 4.5V  
1.8V ≤ Vcc < 2.5V  
4
5
50  
—
ns  
—
Tsu  
Data Setup Time  
10  
20  
30  
—
—
—
ns  
ns  
ns  
4.5V ≤ Vcc ≤ 5.5V  
2.5V ≤ Vcc < 4.5V  
1.8V ≤ Vcc < 2.5V  
6
THD  
Data Hold Time  
20  
40  
50  
—
—
—
ns  
ns  
ns  
4.5V ≤ Vcc ≤ 5.5V  
2.5V ≤ Vcc < 4.5V  
1.8V ≤ Vcc < 2.5V  
7
8
9
TR  
TF  
CLK Rise Time  
CLK Fall Time  
Clock High Time  
—
—
100  
100  
ns  
ns  
(Note 1)  
(Note 1)  
THI  
50  
100  
150  
—
—
—
ns  
ns  
ns  
4.5V ≤ Vcc ≤ 5.5V  
2.5V ≤ Vcc < 4.5V  
1.8V ≤ Vcc < 2.5V  
10  
TLO  
Clock Low Time  
50  
100  
150  
—
—
—
ns  
ns  
ns  
4.5V ≤ Vcc ≤ 5.5V  
2.5V ≤ Vcc < 4.5V  
1.8V ≤ Vcc < 2.5V  
11  
12  
13  
TCLD Clock Delay Time  
50  
50  
—
—
ns  
ns  
—
—
TCLE  
TV  
Clock Enable Time  
Output Valid from Clock  
Low  
—
—
—
50  
100  
160  
ns  
ns  
ns  
4.5V ≤ Vcc ≤ 5.5V  
2.5V ≤ Vcc < 4.5V  
1.8V ≤ Vcc < 2.5V  
14  
15  
THO  
TDIS  
Output Hold Time  
0
—
ns  
(Note 1)  
Output Disable Time  
—
—
—
40  
80  
160  
ns  
ns  
ns  
4.5V ≤ Vcc ≤ 5.5V(Note 1)  
2.5V ≤ Vcc ≤ 4.5V(Note 1)  
1.8V ≤ Vcc ≤ 2.5V(Note 1)  
16  
THS  
HOLD Setup Time  
20  
40  
80  
—
—
—
ns  
ns  
ns  
4.5V ≤ Vcc ≤ 5.5V  
2.5V ≤ Vcc < 4.5V  
1.8V ≤ Vcc < 2.5V  
Note 1: This parameter is periodically sampled and not 100% tested.  
2: TWC begins on the rising edge of CS after a valid write sequence and ends when the internal write cycle is  
complete.  
3: This parameter is not tested but ensured by characterization. For endurance estimates in a specific  
application, please consult the Total Endurance™ Model which can be obtained from our web site:  
www.microchip.com.  
© 2007 Microchip Technology Inc.  
DS21831C-page 3  
1234567...26

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