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25AA020A-E/ST

更新时间： 2024-02-28 08:11:02

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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描述
2K SPI Bus Serial EEPROM

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25AA020A-E/ST 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	4.40 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSSOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	5.57	Is Samacsys：	N
其他特性：	DATA RETENTION > 200 YEARS; 1,000,000 ERASE/WRITE CYCLES	最大时钟频率 (fCLK)：	10 MHz
数据保留时间-最小值：	200	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
长度：	4.4 mm	内存密度：	2048 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	256 words
字数代码：	256	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256X8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2/5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.1 mm	串行总线类型：	SPI
最大待机电流：	0.000001 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.005 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	3 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
写保护：	HARDWARE/SOFTWARE	Base Number Matches：	1

25AA020A-E/ST 数据手册

25AA020A/25LC020A

1.0

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(†)

Absolute Maximum Ratings

VCC.............................................................................................................................................................................6.5V

All inputs and outputs w.r.t. VSS ......................................................................................................... -0.6V to VCC +1.0V

Storage temperature .................................................................................................................................-65°C to 150°C

Ambient temperature under bias...............................................................................................................-40°C to 125°C

ESD protection on all pins..........................................................................................................................................4 kV

† NOTICE: Stresses above those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the

device. This is a stress rating only and functional operation of the device at those or any other conditions above those

indicated in the operational listings of this specification is not implied. Exposure to maximum rating conditions for an

extended period of time may affect device reliability.

TABLE 1-1:

DC CHARACTERISTICS

Industrial (I):

Automotive (E):

TA = -40°C to +85°C

TA = -40°C to +125°C

VCC = 1.8V to 5.5V

VCC = 2.5V to 5.5V

DC CHARACTERISTICS

Param.

No.

Sym.

Characteristic

Min.

Max.

VCC +1

Units

Test Conditions

D001

VIH1

High-level Input

Voltage

0.7 VCC

D002

D003

D004

D005

D006

VIL1

VIL2

VOL

VOH

Low-level Input

Voltage

-0.3

0.3 VCC

0.2 VCC

0.4

VCC ≥ 2.7V (Note 1)

VCC < 2.7V (Note 1)

IOL = 2.1 mA

Low-level Output

Voltage

—

0.2

IOL = 1.0 mA, VCC < 2.5V

IOH = -400 μA

High-level Output

Voltage

VCC -0.5

—

D007

D008

D009

ILI

Input Leakage

Current

—

±1

μA

CS = VCC, VIN = VSS TO VCC

CS = VCC, VOUT = VSS TO VCC

ILO

CINT

Output Leakage

Current

Internal Capacitance

(all inputs and

outputs)

TA = 25°C, CLK = 1.0 MHz,

VCC = 5.0V (Note 1)

D010

ICC Read

—

VCC = 5.5V; FCLK = 10.0 MHz;

SO = Open

VCC = 2.5V; FCLK = 5.0 MHz;

SO = Open

Operating Current

Standby Current

2.5

D011

D012

ICC Write

ICCS

—

VCC = 5.5V

VCC = 2.5V

—

μA

CS = VCC = 5.5V, Inputs tied to VCC or

VSS, TA = +125°C

—

μA

CS = VCC = 2.5V, Inputs tied to VCC or

VSS, TA = +85°C

Note:

This parameter is periodically sampled and not 100% tested.

DS21833C-page 2

Preliminary

123 4 5 6 7...28

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25AA020A-I/MC	MICROCHIP	2K SPI Bus Serial EEPROM	获取价格
25AA020A-I/MNY	MICROCHIP	256 X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 2 X 3 MM, 0.75 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T	获取价格
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