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25AA160A

更新时间： 2024-02-23 00:14:02

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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16K SPI Bus Serial EEPROM

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25AA160A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP,	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.21
其他特性：	DATA RETENTION > 200 YEARS; 4KV ESD PROTECTION; 1M ENDURANCE CYCLES	最大时钟频率 (fCLK)：	1 MHz
数据保留时间-最小值：	200	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
长度：	4.9 mm	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	2048 words
字数代码：	2000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	2KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.75 mm	串行总线类型：	SPI
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	3.91 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	Base Number Matches：	1

25AA160A 数据手册

25XX160A/B

1.0

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(†)

Absolute Maximum Ratings

VCC.............................................................................................................................................................................7.0V

All inputs and outputs w.r.t. V^SS......................................................................................................... -0.6V to VCC +1.0V

Storage temperature .................................................................................................................................-65°C to 150°C

Ambient temperature under bias...............................................................................................................-65°C to 125°C

ESD protection on all pins..........................................................................................................................................4 kV

† NOTICE: Stresses above those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the

device. This is a stress rating only and functional operation of the device at those or any other conditions above those

indicated in the operational listings of this specification is not implied. Exposure to maximum rating conditions for an

extended period of time may affect device reliability.

TABLE 1-1:

DC CHARACTERISTICS

Industrial (I):

T^AMB= -40°C to +85°C

T^AMB= -40°C to +125°C

VCC = 1.8V to 5.5V

VCC = 2.5V to 5.5V

DC CHARACTERISTICS

Automotive (E):

Param.

No.

Sym.

Characteristic

Min.

Max.

Units

Test Conditions

D001

D002

D003

D004

D005

D006

D007

V^IH1

High-level input

voltage

2.0

0.7 VCC

-0.3

VCC +1

VCC ≥ 2.7V (Note)

V^IH2

V^IL1

V^IL2

V^OL

V^OH

VCC +1

0.8

VCC< 2.7V (Note)

VCC ≥ 2.7V (Note)

VCC < 2.7V (Note)

IOL = 2.1 mA

Low-level input

voltage

-0.3

0.2 VCC

0.4

Low-level output

voltage

—

0.2

IOL = 1.0 mA, VCC < 2.5V

IOH = -400 µA

High-level output

voltage

VCC -0.5

—

D008

D009

I^LI

Input leakage current

µA

CS = VCC, VIN = VSS TO VCC

CS = VCC, VOUT = VSS TO VCC

ILO

Output leakage

current

D010

D011

CINT

Internal Capacitance

(all inputs and

outputs)

—

T^AMB= 25°C, CLK = 1.0 MHz,

V^CC= 5.0V (Note)

I^CCRead

—

VCC = 5.5V; FCLK = 10.0 MHz;

SO = Open

Operating Current

2.5

V^CC= 2.5V; FCLK = 5.0 MHz;

SO = Open

D012

D013

I^CCWrite

I^CCS

—

VCC = 5.5V

—

µA

CS = VCC = 5.5V, Inputs tied to VCC or

V^SS, TAMB = -40°C TO +125°C

Standby Current

µA

CS = VCC = 2.5V, Inputs tied to VCC or

V^SS, TAMB = -40°C TO +85°C

Note:

This parameter is periodically sampled and not 100% tested.

DS21807B-page 2

 2003 Microchip Technology Inc.

123 4 5 6 7...24

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