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24LC1025-I-SM

更新时间: 2024-01-12 15:39:31
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美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
28页 447K
描述
1024K I2C™ Serial EEPROM

24LC1025-I-SM 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOIC
包装说明:3.90 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-8针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51Factory Lead Time:10 weeks
风险等级:1.29其他特性:200 YEARS DATA RETENTION
最大时钟频率 (fCLK):0.4 MHz数据保留时间-最小值:200
耐久性:1000000 Write/Erase CyclesI2C控制字节:1010MDDR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e3
长度:4.9 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
湿度敏感等级:3功能数量:1
端子数量:8字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:SERIAL峰值回流温度(摄氏度):260
电源:3/5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.75 mm串行总线类型:I2C
最大待机电流:0.000005 A子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.005 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):2.5 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
宽度:3.9 mm最长写入周期时间 (tWC):5 ms
写保护:HARDWAREBase Number Matches:1

24LC1025-I-SM 数据手册

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24AA1025/24LC1025/24FC1025  
FIGURE 6-1:  
BYTE WRITE  
S
T
A
R
T
BUS ACTIVITY  
MASTER  
S
T
O
P
Control  
Byte  
Address  
High Byte  
Address  
Low Byte  
Data  
B A A  
SDA LINE  
S 1 0 1 0  
0
P
0 1 0  
A
C
K
A
C
K
A
C
K
A
C
K
BUS ACTIVITY  
X = “don’t care” bit  
FIGURE 6-2:  
PAGE WRITE  
S
T
A
R
T
S
T
O
P
Control  
Byte  
Address  
High Byte  
Address  
Low Byte  
BUS ACTIVITY  
MASTER  
Data Byte 0  
Data Byte 127  
B A A  
SDA LINE  
P
S 1 0 1 0  
0
0 1 0  
A
C
K
A
C
K
A
C
K
A
C
K
A
C
K
BUS ACTIVITY  
X = “don’t care” bit  
DS21941K-page 10  
2005-2012 Microchip Technology Inc.  

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