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24C16BT-E/SN

更新时间： 2024-02-21 19:33:42

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
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2K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8

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24C16BT-E/SN 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP, SOP8,.25	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.89
Is Samacsys：	N	其他特性：	2-WIRE SERIAL INTERFACE; DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED
最大时钟频率 (fCLK)：	0.1 MHz	数据保留时间-最小值：	200
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	I2C控制字节：	1010MMMR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e0
长度：	4.9 mm	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	2048 words	字数代码：	2000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	2KX8
输出特性：	OPEN-DRAIN	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.75 mm	串行总线类型：	I2C
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.003 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	3.9 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
写保护：	HARDWARE	Base Number Matches：	1

24C16BT-E/SN 数据手册

24C08B/16B

TABLE 1-1:

Name

PIN FUNCTION TABLE

Function

1.0

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

1.1

Maximum Ratings*

VCC...................................................................................7.0V

All inputs and outputs w.r.t. VSS ................-0.6V to VCC +1.0V

Storage temperature ..................................... -65˚C to +150˚C

Ambient temp. with power applied................. -65˚C to +125˚C

Soldering temperature of leads (10 seconds) ............. +300˚C

ESD protection on all pins..................................................≥ 4 kV

VSS

SDA

Ground

Serial Address/Data I/O

Serial Clock

SCL

Write Protect Input

+4.5V to 5.5V Power Supply

No Internal Connection

*Notice: Stresses above those listed under “Maximum ratings”

may cause permanent damage to the device. This is a stress rat-

ing only and functional operation of the device at those or any

other conditions above those indicated in the operational listings

of this speciﬁcation is not implied. Exposure to maximum rating

conditions for extended periods may affect device reliability.

VCC

A0, A1, A2

TABLE 1-2:

DC CHARACTERISTICS

VCC = +4.5V to +5.5V

Commercial (C): Tamb = 0°C to +70°C

Industrial (I):

Automotive (E):

Tamb = -40°C to +85°C

Tamb = -40˚C to +125˚C

Parameter

Symbol

Min

Max

Units

Conditions

WP, SCL and SDA pins:

High level input voltage

VIH

VIL

.7 Vcc

—

.3 VCC

—

Low Level input voltage

Hysteresis of Schmitt trigger

inputs

VHYS

.05 Vcc

(Note)

Low level output voltage

Input leakage current

VOL

ILI

—

-10

—

.40

IOL = 3.0 mA, VCC=4.5V

µA

VIN =.1V to VCC

Output leakage current

ILO

VOUT = .1V to VCC

Pin capacitance

CIN, COUT

VCC = 5.0V (Note 1)

(all inputs/outputs)

Tamb = 25˚C, FCLK=1 MHz

Operating current

ICC write

ICC read

—

VCC = 5.5V, SCL = 400 kHz

Standby current

ICCS

—

100

µA

VCC = 5.5V, SDA = SCL = VCC

WP = VSS

Note:

This parameter is periodically sampled and not 100% tested.

FIGURE 1-1: BUS TIMING START/STOP

VHYS

SCL

THD:STA

TSU:STA

TSU:STO

SDA

START

STOP

DS21081F-page 2

1999 Microchip Technology Inc.

123 4 5 6 7...13

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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