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24AA025E48-ISN

更新时间: 2024-01-16 11:08:15
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28页 494K
描述
2K I2C™ Serial EEPROMs with EUI-48™ Node Identity

24AA025E48-ISN 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SOIC-8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51Factory Lead Time:14 weeks
风险等级:1.1其他特性:100KHZ AVAILABLE @1.7V
最大时钟频率 (fCLK):0.4 MHz数据保留时间-最小值:200
耐久性:1000000 Write/Erase CyclesI2C控制字节:1010DDDR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e3
长度:4.9 mm内存密度:2048 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
湿度敏感等级:3功能数量:1
端子数量:8字数:256 words
字数代码:256工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256X8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:SERIAL峰值回流温度(摄氏度):260
电源:1.8/5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:TS 16949座面最大高度:1.75 mm
串行总线类型:I2C最大待机电流:0.000001 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.003 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):2.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40宽度:3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC):5 msBase Number Matches:1

24AA025E48-ISN 数据手册

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24AA02E48/24AA025E48  
Block Diagram  
(1)  
(1)  
(1)  
A0  
A2  
A1  
HV Generator  
I/O  
Control  
Logic  
Memory  
Control  
Logic  
EEPROM  
Array  
XDEC  
SDA  
SCL  
Write-Protect  
Circuitry  
VCC  
VSS  
YDEC  
Sense Amp.  
R/W Control  
Note 1: Pins A0, A1 and A2 are not available on  
the 24AA02E48.  
DS22124D-page 2  
2010 Microchip Technology Inc.  

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