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23K640T-I/P

更新时间： 2024-02-02 19:29:43

品牌	Logo	应用领域
美国微芯 - MICROCHIP		静态存储器
页数	文件大小	规格书
26页	346K
描述
64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM

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23K640T-I/P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	TSSOP, TSSOP8,.25	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	1.12
最长访问时间：	25 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	20 MHz
I/O 类型：	SEPARATE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	长度：	4.4 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端口数量：	1, (3 LINE)
端子数量：	8	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.000004 A	最小待机电流：	2.7 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.01 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	3 mm
Base Number Matches：	1

23K640T-I/P 数据手册

23A640/23K640

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