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23K256-I/ST

更新时间: 2024-01-09 20:54:02
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美国微芯 - MICROCHIP 存储内存集成电路静态存储器光电二极管PC时钟
页数 文件大小 规格书
28页 542K
描述
256K SPI Bus Low-Power Serial SRAM

23K256-I/ST 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SOIC
包装说明:TSSOP,针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.74
JESD-30 代码:R-PDSO-G8长度:4.4 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:8字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:32KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:SERIAL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL宽度:3 mm
Base Number Matches:1

23K256-I/ST 数据手册

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23X256  
FIGURE 1-1: HOLD TIMING  
CS  
16  
16  
15  
15  
SCK  
17  
17  
High-Impedance  
Don’t Care  
n
SO  
n + 2  
n + 2  
n + 1  
n
n - 1  
5
n
n + 1  
n
n - 1  
SI  
HOLD  
FIGURE 1-2: SERIAL INPUT TIMING  
4
CS  
2
11  
7
3
8
SCK  
5
6
SI  
MSB in  
LSB in  
High-Impedance  
SO  
FIGURE 1-3: SERIAL OUTPUT TIMING  
CS  
3
9
10  
SCK  
12  
14  
LSB out  
13  
MSB out  
SO  
SI  
Don’t Care  
2010 Microchip Technology Inc.  
DS22100E-page 5  

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