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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | TSSOP, TSSOP8,.25 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | Factory Lead Time： | 8 weeks |
| 风险等级： | 5.51 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 32 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 10 MHz |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 4.4 mm |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1, (3 LINE) |
| 端子数量： | 8 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 8KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSSOP |
| 封装等效代码： | TSSOP8,.25 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 并行/串行： | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大待机电流： | 0.000001 A | 最小待机电流： | 1.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.01 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.95 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 宽度： | 3 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 23A640-I/P | MICROCHIP | 64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM |
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| 23A640-I/SN | MICROCHIP | 64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM |
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| 23A640-I/ST | MICROCHIP | 64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM |
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| 23A640T-E/P | MICROCHIP | 64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM |
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| 23A640T-E/SN | MICROCHIP | 64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM |
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| 23A640T-E/ST | MICROCHIP | 64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM |
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