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23A512T-I/ST

更新时间： 2024-02-08 02:35:18

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美国微芯 - MICROCHIP		时钟静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
32页	525K
描述
STANDARD SRAM

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23A512T-I/ST 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TSSOP, TSSOP8,.25	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	9 weeks	风险等级：	5.5
最大时钟频率 (fCLK)：	20 MHz	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
长度：	4.4 mm	内存密度：	524288 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端口数量：	1, (3 LINE)	端子数量：	8
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8/2 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	TS 16949
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.000004 A
最小待机电流：	1.7 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.01 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.2 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	3 mm
Base Number Matches：	1

23A512T-I/ST 数据手册

23A512/23LC512

PRODUCT IDENTIFICATION SYSTEM

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PART NO.

Device

/XX

–

Examples:

Tape & Reel

Package

Temp Range

23A512-I/ST = 512 Kbit, 1.7-2.2V Serial

SRAM, Industrial temp., TSSOP package

23LC512T-I/SN = 512 Kbit, 2.5-5.5V Serial

SRAM, Industrial temp., Tape & Reel, SOIC

package

Device:

23A512 =

23LC512 =

512 Kbit, 1.7 - 2.2V, SPI Serial SRAM

512 Kbit, 2.5 - 5.5V, SPI Serial SRAM

23LC512-I/P = 512 Kbit, 2.5-5.5V Serial

SRAM, Industrial temp., PDIP package

23A512-E/ST

= 512 Kbit, 1.7-2.2V Serial

Tape & Reel: Blank

Standard packaging (tube)

Tape & Reel

SRAM, Extended temp., TSSOP package

23LC512T-E/SN = 512 Kbit, 2.5-5.5V Serial

SRAM, Extended temp., Tape & Reel, SOIC

package

Temperature

Range:

-40C to +85C

-40C to +125C

23LC512-E/P

= 512 Kbit, 2.5-5.5V Serial

SRAM, Extended temp., PDIP package

Package:

Plastic SOIC (3.90 mm body), 8-lead

Plastic TSSOP (4.4 mm body), 8-lead

Plastic PDIP (300 mil body), 8-lead

 2012-2013 Microchip Technology Inc.

DS20005155B-page 29

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