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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | TSSOP, TSSOP8,.25 | Reach Compliance Code： | compliant |
| Factory Lead Time： | 9 weeks | 风险等级： | 5.5 |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 20 MHz | I/O 类型： | SEPARATE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 4.4 mm | 内存密度： | 524288 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1, (3 LINE) | 端子数量： | 8 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 64KX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSSOP |
| 封装等效代码： | TSSOP8,.25 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 并行/串行： | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 1.8/2 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | TS 16949 |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大待机电流： | 0.000004 A |
| 最小待机电流： | 1.7 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.01 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.2 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 宽度： | 3 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 23A512T-I-SN | MICROCHIP | A broad portfolio of high performance, best-in-class Serial Memory Products to meet all yo |
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| 23A640 | MICROCHIP | 64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM |
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| 23A640_10 | MICROCHIP | 64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM |
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| 23A640-E/P | MICROCHIP | 64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM |
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| 23A640-E/SN | MICROCHIP | 64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM |
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| 23A640-E/ST | MICROCHIP | 64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM |
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