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23A256T-I/SN

更新时间： 2024-02-25 20:00:53

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美国微芯 - MICROCHIP		存储内存集成电路静态存储器光电二极管时钟
页数	文件大小	规格书
28页	542K
描述
256K SPI Bus Low-Power Serial SRAM

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技术参数
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23A256T-I/SN 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	TSSOP,	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.76
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	长度：	4.4 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	SERIAL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	3 mm
Base Number Matches：	1

23A256T-I/SN 数据手册

23X256

TABLE 1-2:

AC CHARACTERISTICS (CONTINUED)

Industrial (I):

Automotive (E): TA = -40°C to +125°C

TA = -40°C to +85°C

AC CHARACTERISTICS

Param.

Sym.

Characteristic

Min.

Max.

Units

Test Conditions

VCC 1.5V (I-Temp)

No.

TDIS

Output disable time

—

VCC 1.8V (I-Temp)

VCC 3.0V (E-Temp)

VCC 3.0V (I-Temp)

THS

THH

THZ

THV

HOLD setup time

—

HOLD hold time

HOLD low to output High-Z

HOLD high to output valid

Note 1: This parameter is periodically sampled and not 100% tested.

TABLE 1-3:

AC TEST CONDITIONS

AC Waveform:

Input pulse level

Input rise/fall time

0.1 VCC to 0.9 VCC

5 ns

-40°C to +125°C

—

Operating temperature

CL = 100 pF

Timing Measurement Reference Level:

Input

0.5 VCC

Output

DS22100E-page 4

 2010 Microchip Technology Inc.

1 2 345 6 7...28

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