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20KP120A

更新时间: 2024-01-14 06:30:56
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美高森美 - MICROSEMI /
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2页 74K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 20000W, 120V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon

20KP120A 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
包装说明:O-XALF-W2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.8Is Samacsys:N
其他特性:UL RECOGNIZED最小击穿电压:134 V
击穿电压标称值:134 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:194 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-XALF-W2最大非重复峰值反向功率耗散:20000 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:8 W
最大重复峰值反向电压:120 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

20KP120A 数据手册

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