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20KDA20

更新时间: 2024-01-05 08:43:23
品牌 Logo 应用领域
NIEC 整流二极管
页数 文件大小 规格书
5页 90K
描述
Diffusion-type Sillicon Rectifier Diode

20KDA20 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
Is Samacsys:N应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-30 代码:O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流:75 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:1.7 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:200 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

20KDA20 数据手册

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サꢀーꢀジꢀ順ꢀ電ꢀ流ꢀ定ꢀ格  
SURGE CURRENT RATINGS  
f=50Hz,Harf Sine Wave,Non-Repetitive,No Load  
20KDA20  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
(A)  
I
FSM  
0.02s  
0.02  
0.05  
0.1  
0.2  
0.5  
1
2
TIME (s)  
時ꢀ間ꢀ(s)  

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