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203CMQ100

更新时间： 2024-01-13 08:22:04
品牌 Logo 应用领域
桑德斯 - SMC 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
4页 218K
描述
Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability

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203CMQ100 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PUFM-X3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.43其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PUFM-X3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：2520 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：100 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

203CMQ100 数据手册

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SANGDEST  
MICROELECTRONICS  
203CMQ SERIES  
Technical Data  
Data Sheet N0989, Rev. D  
Maximum Ratings:  
Characteristics  
Symbol  
Condition  
Max.  
Units  
Peak Inverse Voltage  
VRWM  
-
80  
203CMQ080  
V
100 203CMQ100  
Average Forward Current  
IF(AV)  
50% duty cycle @TC =110°C,  
rectangular wave form  
100  
200  
per leg  
per device  
A
Peak One Cycle Non-  
Repetitive Surge Current  
(per leg)  
Non-Repetitive Avalanche  
Energy(peg leg)  
IFSM  
EAS  
IAR  
8.3 ms, half Sine pulse  
2520  
A
mJ  
A
15  
1
TJ=25℃,IAS=1A,L=30mH  
Repetitive Avalanche  
Current(peg leg)  
Current decaying linearly to zero  
in 1 μsec Frequency limited by  
TJ max. VA=1.5×VR typical  
Electrical Characteristics:  
Characteristics  
Symbol  
Condition  
Max.  
Units  
Forward Voltage Drop  
(per leg) *  
@ 100A, Pulse, TJ = 25 °C  
@ 200A, Pulse, TJ = 25 °C  
@ 100A, Pulse, TJ = 125 °C  
@ 200A, Pulse, TJ = 125 °C  
0.86  
1.03  
VF1  
V
0.70  
0.84  
VF2  
V
Reverse Current (per leg) *  
IR1  
IR2  
3
40  
mA  
mA  
@VR = rated V  
R
TJ = 25 °C  
TJ = 125 °C  
@VR = rated V  
R
Junction Capacitance  
(per leg)  
Typical Series Inductance  
(per leg)  
@VR = 5V, TC = 25 °C  
SIG = 1MHz  
Measured lead to lead 5 mm  
CT  
LS  
2650  
7.0  
pF  
nH  
f
from package body  
Voltage Rate of Change  
Insulation Voltage  
dv/dt  
VRMS  
-
-
10,000  
1000  
V/μs  
V
* Pulse Width < 300µs, Duty Cycle <2%  
Thermal-Mechanical Specifications:  
Characteristics  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Symbol  
TJ  
Condition  
Specification  
-55 to +175  
-55 to +175  
Units  
°C  
°C  
-
-
Tstg  
Maximum Thermal  
Resistance Junction to Case  
(per leg)  
Maximum Thermal  
Resistance Junction to Case  
(per package)  
DC operation  
DC operation  
0.70  
RθJC  
°C/W  
0.35  
0.10  
RθJC  
Rθcs  
°C/W  
°C/W  
Typical Thermal Resistance,  
case to Heat Sink  
Mounting surface, smooth  
and greased  
Mounting  
24(min)  
35(max)  
35(min)  
46(max)  
Torque  
Terminal  
Torque  
Mounting Torque  
TM  
-
-
Kg-cm  
g
Approximate Weight  
Case Style  
wt  
79  
PRM4 Isolated  
• Weiqi Street, Airport Development Zone, Jiangning District, Nanjing, China 211113 ꢀ (86) 25-87123907 •  
• FAX (86) 25-87123900 • World Wide Web Site - http://www.sangdest.com.cn • E-Mail Address - sales@ sangdest.com.cn •  
1234

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