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200HF120PV

更新时间： 2024-01-08 19:39:28

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威世 - VISHAY		二极管
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6页	57K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 200A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-205AC

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200HF120PV 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-MUPM-H1
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.49	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH SURGE CAPABILITY	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-205AC	JESD-30 代码：	O-MUPM-H1
最大非重复峰值正向电流：	4610 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
最大输出电流：	200 A	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1200 V
表面贴装：	NO	端子形式：	HIGH CURRENT CABLE
端子位置：	UPPER	Base Number Matches：	1

200HF120PV 数据手册

200HF(R) Series

Bulletin I2020 rev. A 07/94

4000

4500

4000

3500

3000

2500

2000

1500

1000

At Any Ra te d Lo a d Co nd itio n An d With

Ma xim um No n Re p e titive Surg e C urre n t

Ve rsus Pulse Tra in Dura tio n.

Ra te d V

Ap p lie d Fo llow ing Surg e .

RRM

Initia l T = 180°C

3500

3000

2500

2000

1500

1000

@ 60 Hz 0.0083 s

@ 50 Hz 0.0100 s

No Vo lta g e Re a pp lie d

Ra te d V

Re a p p lie d

RRM

200HF(R) Se rie s

100

0.01

0.1

Numb e r Of Eq ua l Amp litud e Ha lf C yc le C urrent Pulses (N)

Pulse Tra in Dura tio n (s)

Fig. 5 - Maximum Non-Repetitive Surge Current

Fig. 6 - Maximum Non-Repetitive Surge Current

10000

1000

T = 25°C

T = 180°C

100

200HF(R) Se rie s

0.5

1.5

Insta nta n e o us Fo rwa rd Volta g e (V)

Fig. 7 - Forward Voltage Drop Characteristics

2.5

3.5

4.5

Ste a d y Sta te Va lue :

= 0.17 K/ W

thJC

(DC Op e ra tion)

0.1

200HF(R) Se rie s

0.01

0.001

0.01

0.1

Sq ua re Wa ve Pulse Dura tion (s)

Fig. 8 - Thermal Impedance Z_thJCCharacteristics

www.irf.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
200HF120PVM	VISHAY	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 200A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-205AC	获取价格
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