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200HF120PV

更新时间： 2024-02-05 14:44:51

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威世 - VISHAY		二极管
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6页	57K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 200A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-205AC

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200HF120PV 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-MUPM-H1
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.49	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH SURGE CAPABILITY	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-205AC	JESD-30 代码：	O-MUPM-H1
最大非重复峰值正向电流：	4610 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
最大输出电流：	200 A	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1200 V
表面贴装：	NO	端子形式：	HIGH CURRENT CABLE
端子位置：	UPPER	Base Number Matches：	1

200HF120PV 数据手册

200HF(R) Series

Bulletin I2020 rev. A 07/94

180

170

160

150

140

130

120

180

170

160

150

140

130

120

110

200HF(R) Se rie s

(DC ) = 0.17 K/W

(DC ) = 0.17 K/ W

thJC

Co nd uc tio n Perio d

C o nd uc tio n Ang le

30°

60°

90°

120°

180°

60°

120°

30°

180°

50 100 150 200 250 300 350

Ave ra g e Forwa rd C urre nt (A)

25 50 75 100 125 150 175 200 225

Ave ra g e Fo rwa rd C urre n t (A)

Fig. 1 - Current Ratings Characteristics

Fig. 2 - Current Ratings Characteristics

300

180°

120°

90°

250

60°

30°

200

RMS Lim it

150

100

Co nd uc tio n Ang le

200HF(R) Se rie s

T = 180°C

20 40 60 80 100 120 140 160 180 2

20 40 60 80 100 120 140 160 180

Ave ra g e Forw a rd C urre nt (A)

Ma xim um Allowa b le Am b ie n t Te mp e ra ture (°C )

Fig. 3 - Forward Power Loss Characteristics

400

350

300

250

200

150

100

180°

120°

90°

60°

30°

RMS Limit

C o nd u ctio n Pe rio d

200HF(R) Se rie s

= 180°C

50 100 150 200 250 300 350

20 40 60 80 100 120 140 160 180

Ma ximum Allo wa b le Am b ie nt Te m p e ra ture (°C )

Ave ra g e Fo rwa rd Curre n t (A)

Fig. 4 - Forward Power Loss Characteristics

www.irf.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
200HF120PVM	VISHAY	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 200A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-205AC	获取价格
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