生命周期: | Transferred | 包装说明: | O-LALF-W2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.70 | 风险等级: | 5.49 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1 V |
JEDEC-95代码: | DO-35 | JESD-30 代码: | O-LALF-W2 |
最大非重复峰值正向电流: | 1 A | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最大输出电流: | 0.2 A | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
最大功率耗散: | 0.4 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大反向电流: | 100 µA | 最大反向恢复时间: | 0.1 µs |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
1SS81TX | HITACHI | Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35 |
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1SS81TX | RENESAS | 0.2A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
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1SS82 | HITACHI | Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching |
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1SS82 | RENESAS | Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching |
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1SS82 | SUNMATE | Switching Diodes Switch detector |
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1SS82-E | RENESAS | 0.2A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2 |
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