1SS199

更新时间： 2024-01-29 23:42:07

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日立 - HITACHI		肖特基二极管开关
页数	文件大小	规格书
5页	20K
描述
Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching

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1SS199 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	5.26
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
最大二极管电容：	3 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	MIXER DIODE	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

1SS199 数据手册

1SS199

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Value

Unit

Reverse voltage

Average rectified current

Junction temperature

Storage temperature

V_R

I_O

°C

125

Tstg

–55 to +125

°C

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol Min

Typ

—

Max

Unit

µA

Test Condition

V_F= 1V

Forward current

Reverse current

Capacitance

Rectifier efficiency

I_F

I_R

3.0

—

100

3.0

—

V_R= 10V

—

V_R= 1V, f = 1MHz

—

Vin = 2Vrms, f = 40MHz,R_L= 5kΩ, C_L

= 20pF

ESD-Capability

—

*C = 200pF, Both forward and

reverse direction 1 pulse.

Note: Failure criterion; I_R≥ 200µA at V_R= 10V

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