是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Lifetime Buy | 包装说明: | O-LALF-W2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.70 | 风险等级: | 5.67 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码: | O-LALF-W2 | JESD-609代码: | e2 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最大输出电流: | 0.1 A | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散: | 0.25 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大反向恢复时间: | 0.008 µs |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN COPPER |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
1S2075(K)TA | RENESAS | 暂无描述 |
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1S2075(K)TD | HITACHI | Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon, DO-35 |
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1S2075(K)TDX | HITACHI | 暂无描述 |
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1S2075(K)TDX | RENESAS | 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
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1S2075(K)TE | HITACHI | 暂无描述 |
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1S2075(K)TE | RENESAS | 暂无描述 |
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