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1N985BHR-PBF

更新时间： 2024-01-06 14:31:41
品牌 Logo 应用领域
DIGITRON 测试二极管
页数 文件大小 规格书
4页 754K
描述
Zener Diode, 100V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35

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1N985BHR-PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：O-XALF-W2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.6其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
最大动态阻抗：500 Ω最大正向电压 (VF)：1.3 V
JEDEC-95代码：DO-35JESD-30 代码：O-XALF-W2
膝阻抗最大值：3000 Ω元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.5 W
参考标准：MIL-19500标称参考电压：100 V
最大反向电流：5 µA反向测试电压：76.2 V
表面贴装：NO技术：ZENER
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
电压温度Coeff-Max：110 mV/ °C最大电压容差：5%
工作测试电流：1.3 mABase Number Matches：1

1N985BHR-PBF 数据手册

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1N957B-1N992B  
500 mW SILICON ZENER DIODES  
High-reliability discrete products  
and engineering services since 1977  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Nominal  
zener  
voltage  
(2)  
Maximum Maximum  
Zener  
test  
current  
Maximum  
temperature  
coefficient  
DC zener  
surge  
Maximum reverse  
leakage current  
Maximum zener impedance(3)  
Part  
current  
(4)  
current  
(5)  
number  
(1)  
VZ  
Volts  
47  
IZT  
mA  
2.7  
ZZT @ IZT  
Ohms  
105  
ZZK  
@IZK  
mA  
IZM  
mA  
7.9  
7.4  
6.8  
6.0  
5.5  
5.0  
4.6  
4.1  
3.7  
3.3  
3.1  
2.7  
2.4  
2.2  
2.0  
1.8  
IZSM  
mA  
40  
37  
35  
30  
28  
26  
23  
21  
18  
16  
15  
13  
12  
11  
10  
9
IR  
µA  
5
@VR  
Volts  
35.8  
38.8  
42.6  
47.1  
51.7  
56.0  
62.2  
69.2  
76.0  
83.6  
91.2  
98.8  
114.0  
121.6  
136.8  
152.0  
αvz  
Ohms  
1500  
1500  
2000  
2000  
2000  
2000  
3000  
3000  
3000  
4000  
4500  
5000  
6000  
6500  
7100  
8000  
%/°C  
0.095  
0.096  
0.096  
0.097  
0.097  
0.098  
0.098  
0.099  
0.110  
0.110  
0.110  
0.110  
0.110  
0.110  
0.110  
0.110  
1N977B  
1N978B  
1N979B  
1N980B  
1N981B  
1N982B  
1N983B  
1N984B  
1N985B  
1N986B  
1N987B  
1N988B  
1N989B  
1N990B  
1N991B  
1N992B  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
51  
2.5  
125  
5
56  
2.2  
150  
5
62  
2.0  
185  
5
68  
1.8  
230  
5
75  
1.7  
270  
5
82  
1.5  
330  
5
91  
1.4  
400  
5
100  
110  
120  
130  
150  
160  
180  
200  
1.3  
500  
5
1.1  
750  
5
1.0  
900  
5
0.95  
0.85  
0.80  
0.68  
0.65  
1100  
1500  
1700  
2200  
2500  
5
5
5
5
5
NOTE 1. Zener voltage tolerance on ‘’B’’ suffix is + 5%. Suffix letter A denotes +10%. No suffix denotes +20% tolerance. ‘’C’’ suffix denotes + 2% and ‘’D’’ suffix denotes + 1%.  
NOTE 2. Zener voltage is measured with the device junction in thermal equilibrium at an ambient temperature of 25°C + 3°C.  
NOTE 3. Zener impedance is derived by superimposing on IZTA 60HZ rms a.c. current equal to 10% of IZT  
.
NOTE 4: The values of IZM are calculated for a ±5% tolerance on nominal zener voltage. Allowance has been made for the rise in zener voltage above VZT which results from zener impedance  
and the increase in junction temperature as power dissipation approaches 400mW. In the case of individual diodes IZM is that value of current which results in a dissipation of 400mW at 75°C  
lead temperature at 3/8” from body.  
NOTE 5: The surge for IZM is a square wave or equivalent half-sine wave pulse of 1/120 second duration.  
Rev. 20150825  
1234

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
1N985BLEADFREE CENTRAL Zener Diode, 100V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-35, 2 PIN

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1N985BRL MOTOROLA 100V, 0.5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH

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