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1N757AUR-1TRE3

更新时间: 2024-02-02 19:24:06
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 测试二极管齐纳二极管
页数 文件大小 规格书
3页 285K
描述
Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.5W,

1N757AUR-1TRE3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.43
配置:SINGLE二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:10 Ω元件数量:1
最高工作温度:175 °C最大功率耗散:0.5 W
标称参考电压:9.1 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES最大电压容差:5%
工作测试电流:20 mABase Number Matches:1

1N757AUR-1TRE3 数据手册

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1N746UR-1 thru 1N759AUR-1 and  
1N4370UR-1 thru 1N4372AUR-1  
(or MLL746-1 thru MLL759A-1 and  
MLL4370-1 thru MLL4372A-1)  
S C O T T S D A L E D I V I S I O N  
Surface Mount 500 mW Zener Diodes  
INCHES  
MILLIMETERS  
DIM  
A
MIN  
MAX  
0.067  
0.146  
0.022  
MIN  
1.60  
3.30  
0.41  
MAX  
1.70  
0.063  
0.130  
0.016  
3.70  
0.55  
B
PAD LAYOUT  
C
INCHES  
.200  
mm  
5.08  
1.40  
2.03  
A
B
C
.055  
.080  
Copyright 2003  
Microsemi  
Page 3  
11-03-2003 REV 0  
Scottsdale Division  
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503  

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