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1N749CURTR

更新时间: 2024-02-25 22:14:20
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管
页数 文件大小 规格书
3页 216K
描述
SILICON 400 mW ZENER DIODES

1N749CURTR 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.48
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-213AAJESD-30 代码:O-LELF-R2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:4.3 V
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END最大电压容差:10%
工作测试电流:20 mA

1N749CURTR 数据手册

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1N746 thru 1N759A, -1 and  
1N4370 thru 1N4372A, -1 DO-35  
Silicon 500 mW Zener Diodes  
S C O T T S D A L E D I V I S I O N  
PACKAGE DIMENSIONS  
All dimensions in: INCH  
mm  
FIGURE 3  
CAPACITANCE vs. ZENER VOLTAGE  
(TYPICAL)  
Copyright 2003  
10-31-2003 REV B  
Microsemi  
Page 3  
Scottsdale Division  
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503  

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