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1N6373/4E-E3

更新时间： 2024-01-06 02:01:41

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威世 - VISHAY		局域网二极管电视
页数	文件大小	规格书
5页	93K
描述
DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN, Transient Suppressor

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1N6373/4E-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.67	其他特性：	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最小击穿电压：	6 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值反向功率耗散：	1500 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	6.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
Base Number Matches：	1

1N6373/4E-E3 数据手册

ICTE5.0 thru ICTE18C, 1N6373 thru 1N6386

Vishay General Semiconductor

8.0

Uni-Directional Only

T_A= 25 °C

7.0

6.0

5.0

4.0

3.0

L = 0.375" (9.5 mm)

Lead Lengths

2.0

1.0

10 12 14 16 18 20 22 24 26

V_C- Clamping Voltage (V)

100 125 150

175

200

T_L- Lead Temperature (°C)

Figure 7. Typical Characteristics Clamping Voltage

Figure 8. Power Derating Curve

PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)

Case Style 1.5KE

1.0 (25.4)

MIN.

0.210 (5.3)

0.190 (4.8)

DIA.

0.375 (9.5)

0.285 (7.2)

1.0 (25.4)

MIN.

0.042 (1.07)

0.038 (0.96)

DIA.

www.vishay.com

For technical questions within your region, please contact one of the following:

PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com

Document Number: 88356

Revision: 12-Feb-09

1 2 345

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