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1N6166E3

更新时间: 2024-02-19 17:04:50
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
7页 477K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 76V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, C PACKAGE-2

1N6166E3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:O-LALF-W2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.69其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e3
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:3 W最大重复峰值反向电压:76 V
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:MATTE TIN端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N6166E3 数据手册

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