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1N6163USS

更新时间: 2024-02-02 14:47:19
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON 瞬态抑制器二极管
页数 文件大小 规格书
3页 37K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon,

1N6163USS 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.76
最小击穿电压:67.5 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-LELF-R2
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:3 W认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL-19500表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N6163USS 数据手册

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1N6138A/US thru 1N6173A/US  
SENSITRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
DATA SHEET 5072, REV. –  
MECHANICAL DIMENSIONS In Inches / (mm)  
AXIAL  
PACKAGE DIMENSIONS - INCHES / MILLIMETERS  
STYLE  
AXIAL  
G
L
φB  
.036/.042  
.92/1.07  
φD  
.135/.185  
3.43/4.70  
.140/.195  
3.56/4.95  
1.00/1.30  
25.4/33.02  
MELF  
R = 0.020 Max  
STYLE  
A
B
C
D
MELF  
.205/.245  
5.21/6.22  
.019/.028  
.48/.71  
.003MIN  
.08MIN  
.183/.202  
4.65/5.13  

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